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Infineon Technologies IPSH6N03LB G

Name: IPSH6N03LB G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPSH6N03LB G
Availability: InStock
Rating: 5.0 (635 reviews)

Número de pieza de MFG: IPSH6N03LB G

Cantidad disponible: 99040 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPSH6N03LB G.pdf

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IPSH6N03LB G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPSH6N03LB G
Número de parte futuro	FT-IPSH6N03LB G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPSH6N03LB G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 40µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2800pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO251-3
Paquete / Caja	TO-251-3 Stub Leads, IPak
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPSH6N03LB G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPSH6N03LB G-FT

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