casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPSA70R900P7SAKMA1
Número de pieza del fabricante | IPSA70R900P7SAKMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPSA70R900P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R900P7SAKMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 400V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 211pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 30.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO251-3 |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R900P7SAKMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPSA70R900P7SAKMA1-FT |
AUIRFSA8409-7TRL
Infineon Technologies
AUIRLS8409-7TRL
Infineon Technologies
IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB015N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB016N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB023N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB025N10N3GATMA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel