casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPSA70R360P7SAKMA1
Número de pieza del fabricante | IPSA70R360P7SAKMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPSA70R360P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R360P7SAKMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4nC @ 400V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 517pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 59.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO251-3 |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R360P7SAKMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPSA70R360P7SAKMA1-FT |
IPB016N06L3GATMA1
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IPB017N06N3GATMA1
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IPB036N12N3GATMA1
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IPB039N10N3GATMA1
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XCV1000E-8FG900C
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LCMXO640C-4FTN256I
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LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel