casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPSA70R1K4CEAKMA1
Número de pieza del fabricante | IPSA70R1K4CEAKMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPSA70R1K4CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IPSA70R1K4CEAKMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 225pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 53W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO251-3 |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R1K4CEAKMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPSA70R1K4CEAKMA1-FT |
BSZ100N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ120P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ120P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ130N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ160N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ180P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel