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Infineon Technologies IPS65R1K0CEAKMA1

Name: IPS65R1K0CEAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS65R1K0CEAKMA1
Price: 0.27456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (553 reviews)

Número de pieza de MFG: IPS65R1K0CEAKMA1

Cantidad disponible: 87620 Piezas

Precio de referencia: USD 0.27456

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ CE MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPS65R1K0CEAKMA1.pdf

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IPS65R1K0CEAKMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPS65R1K0CEAKMA1
Número de parte futuro	FT-IPS65R1K0CEAKMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™ CE
IPS65R1K0CEAKMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	328pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-251
Paquete / Caja	TO-251-3 Stub Leads, IPak
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS65R1K0CEAKMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPS65R1K0CEAKMA1-FT

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