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Infineon Technologies IPS110N12N3GBKMA1

Name: IPS110N12N3GBKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS110N12N3GBKMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (296 reviews)

Número de pieza de MFG: IPS110N12N3GBKMA1

Cantidad disponible: 40090 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPS110N12N3GBKMA1.pdf

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IPS110N12N3GBKMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPS110N12N3GBKMA1
Número de parte futuro	FT-IPS110N12N3GBKMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPS110N12N3GBKMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	120V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	75A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4310pF @ 60V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO251-3
Paquete / Caja	TO-251-3 Stub Leads, IPak
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS110N12N3GBKMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPS110N12N3GBKMA1-FT

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