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Infineon Technologies IPP50R299CPXKSA1

Name: IPP50R299CPXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP50R299CPXKSA1
Price: 2 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (789 reviews)

Número de pieza de MFG: IPP50R299CPXKSA1

Cantidad disponible: 86500 Piezas

Precio de referencia: USD 2

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPP50R299CPXKSA1.pdf

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IPP50R299CPXKSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPP50R299CPXKSA1
Número de parte futuro	FT-IPP50R299CPXKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™
IPP50R299CPXKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	550V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 440µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1190pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-1
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP50R299CPXKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPP50R299CPXKSA1-FT

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