casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP070N06N G
Número de pieza del fabricante | IPP070N06N G |
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Número de parte futuro | FT-IPP070N06N G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP070N06N G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4100pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP070N06N G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPP070N06N G-FT |
IPP12CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP055N03LGXKSA1
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IPP114N12N3GXKSA1
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IPP052N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
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A42MX36-2BGG272I
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M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel