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Infineon Technologies IPP070N06N G

Número de pieza de MFG
IPP070N06N G
Cantidad disponible
31030 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
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Número de parte futuro FT-IPP070N06N G
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPP070N06N G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 180µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4100pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP070N06N G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPP070N06N G-FT

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