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Infineon Technologies IPP051N15N5AKSA1

Name: IPP051N15N5AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP051N15N5AKSA1
Price: 5.568 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (450 reviews)

Número de pieza de MFG: IPP051N15N5AKSA1

Cantidad disponible: 35560 Piezas

Precio de referencia: USD 5.568

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ 5 MV POWER MOS

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPP051N15N5AKSA1.pdf

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IPP051N15N5AKSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPP051N15N5AKSA1
Número de parte futuro	FT-IPP051N15N5AKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™ 5
IPP051N15N5AKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.6V @ 264µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7800pF @ 75V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	500mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP051N15N5AKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPP051N15N5AKSA1-FT

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