casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP04CN10NG
Número de pieza del fabricante | IPP04CN10NG |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPP04CN10NG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP04CN10NG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13800pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP04CN10NG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPP04CN10NG-FT |
IPP60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP040N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R380CEXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP100N08S2L07AKSA1
Infineon Technologies
IPP70N04S406AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P03P4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N08S403AKSA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel