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Infineon Technologies IPP042N03LGXKSA1

Name: IPP042N03LGXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP042N03LGXKSA1
Price: 1.088 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (261 reviews)

Número de pieza de MFG: IPP042N03LGXKSA1

Cantidad disponible: 52070 Piezas

Precio de referencia: USD 1.088

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPP042N03LGXKSA1.pdf

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IPP042N03LGXKSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPP042N03LGXKSA1
Número de parte futuro	FT-IPP042N03LGXKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPP042N03LGXKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	70A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3900pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP042N03LGXKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPP042N03LGXKSA1-FT

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