casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP030N10N5AKSA1
Número de pieza del fabricante | IPP030N10N5AKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPP030N10N5AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP030N10N5AKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 184µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 139nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10300pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP030N10N5AKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPP030N10N5AKSA1-FT |
IPD90N10S4L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD90P04P405ATMA1
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IPD90P04P4L04ATMA1
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IPF04N03LA
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IPF04N03LA G
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IPF05N03LA G
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IPF06N03LA G
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IPF09N03LA
Infineon Technologies
IPF09N03LA G
Infineon Technologies
IPF10N03LA
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
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EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel