casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP023N10N5AKSA1
Número de pieza del fabricante | IPP023N10N5AKSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPP023N10N5AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP023N10N5AKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 270µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 15600pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 375W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP023N10N5AKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPP023N10N5AKSA1-FT |
IRFP4768PBF
Infineon Technologies
IRFP4110PBF
Infineon Technologies
IRFP3415PBF
Infineon Technologies
IRFP140NPBF
Infineon Technologies
IRFP2907PBF
Infineon Technologies
IRFP250NPBF
Infineon Technologies
IRFP3710PBF
Infineon Technologies
IRFP4710PBF
Infineon Technologies
IRFP044NPBF
Infineon Technologies
IRFP4310ZPBF
Infineon Technologies
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation