casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI100N08N3GHKSA1
Número de pieza del fabricante | IPI100N08N3GHKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPI100N08N3GHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI100N08N3GHKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2410pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 100W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI100N08N3GHKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPI100N08N3GHKSA1-FT |
IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW90R120C3FKSA1
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IPW90R1K0C3FKSA1
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SPW11N60CFDFKSA1
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SPW11N60S5FKSA1
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XC4005E-1PQ100C
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XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
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10AX048K2F35E2LG
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EP4S100G5F45I3
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A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
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5AGXBA3D6F31C6N
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EP1S40F1508C6N
Intel