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Infineon Technologies IPI100N06S3L04XK

Name: IPI100N06S3L04XK
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI100N06S3L04XK
Price: 2.072 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (771 reviews)

Número de pieza de MFG: IPI100N06S3L04XK

Cantidad disponible: 68880 Piezas

Precio de referencia: USD 2.072

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPI100N06S3L04XK.pdf

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IPI100N06S3L04XK Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPI100N06S3L04XK
Número de parte futuro	FT-IPI100N06S3L04XK
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPI100N06S3L04XK Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	362nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	17270pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO262-3
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI100N06S3L04XK Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPI100N06S3L04XK-FT

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