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Infineon Technologies IPI072N10N3GXK

Número de pieza de MFG
IPI072N10N3GXK
Cantidad disponible
11540 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ 3 MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™ 3
IPI072N10N3GXK Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4910pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO262-3
Paquete / Caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI072N10N3GXK Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPI072N10N3GXK-FT

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