casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI045N10N3GXKSA1
Número de pieza del fabricante | IPI045N10N3GXKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPI045N10N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI045N10N3GXKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8410pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 214W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI045N10N3GXKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPI045N10N3GXKSA1-FT |
IPW65R099C6FKSA1
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A3P015-1QNG68
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5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC6VLX195T-1FFG784I
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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