casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI034NE7N3 G
Número de pieza del fabricante | IPI034NE7N3 G |
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Número de parte futuro | FT-IPI034NE7N3 G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI034NE7N3 G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 155µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8130pF @ 37.5V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 214W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI034NE7N3 G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPI034NE7N3 G-FT |
IPW50R299CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R350CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R399CPFKSA1
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IPW60R041C6FKSA1
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IPW60R045CPFKSA1
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IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R070C6FKSA1
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IPW60R075CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R080P7XKSA1
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IPW60R099C6FKSA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel