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Infineon Technologies IPI023NE7N3 G

Name: IPI023NE7N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI023NE7N3 G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (669 reviews)

Número de pieza de MFG: IPI023NE7N3 G

Cantidad disponible: 42110 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPI023NE7N3 G.pdf

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IPI023NE7N3 G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPI023NE7N3 G
Número de parte futuro	FT-IPI023NE7N3 G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPI023NE7N3 G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 273µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	206nC @ 10V
Vgs (Max)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	14400pF @ 37.5V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO262-3
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI023NE7N3 G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPI023NE7N3 G-FT

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