casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / IPG20N06S2L65AATMA1
Número de pieza del fabricante | IPG20N06S2L65AATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPG20N06S2L65AATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPG20N06S2L65AATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 410pF @ 25V |
Potencia - max | 43W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-10 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPG20N06S2L65AATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPG20N06S2L65AATMA1-FT |
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