casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / IPG16N10S4L61AATMA1
Número de pieza del fabricante | IPG16N10S4L61AATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPG16N10S4L61AATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPG16N10S4L61AATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 90µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 845pF @ 25V |
Potencia - max | 29W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-10 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPG16N10S4L61AATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPG16N10S4L61AATMA1-FT |
IRF7317TRPBF
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EP1M350F780I6N
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Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
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