casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPDH5N03LA G
Número de pieza del fabricante | IPDH5N03LA G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPDH5N03LA G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPDH5N03LA G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 35µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2653pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 83W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPDH5N03LA G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPDH5N03LA G-FT |
IPD600N25N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD600N25N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R1K4C6
Infineon Technologies
IPD60R1K4C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R280CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R2K0C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R2K1CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R380C6
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel