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Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1

Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1
Price: 0.430584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (505 reviews)

Número de pieza de MFG: IPD60N10S4L12ATMA1

Cantidad disponible: 15030 Piezas

Precio de referencia: USD 0.430584

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® MOSFET N-CH TO252-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPD60N10S4L12ATMA1.pdf

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IPD60N10S4L12ATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPD60N10S4L12ATMA1
Número de parte futuro	FT-IPD60N10S4L12ATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
IPD60N10S4L12ATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 46µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3170pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-313
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD60N10S4L12ATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPD60N10S4L12ATMA1-FT

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