casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD50R650CEBTMA1
Número de pieza del fabricante | IPD50R650CEBTMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPD50R650CEBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPD50R650CEBTMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.1A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 1.8A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 342pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 47W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R650CEBTMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD50R650CEBTMA1-FT |
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XC4005E-1PQ100C
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10AX048K2F35E2LG
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EP4S100G5F45I3
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A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
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