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Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1

Número de pieza de MFG
IPD50R650CEBTMA1
Cantidad disponible
18360 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
CoolMOS™ MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante IPD50R650CEBTMA1
Número de parte futuro FT-IPD50R650CEBTMA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™
IPD50R650CEBTMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 342pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 47W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD50R650CEBTMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPD50R650CEBTMA1-FT

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