casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD400N06NGBTMA1
Número de pieza del fabricante | IPD400N06NGBTMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPD400N06NGBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD400N06NGBTMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 27A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 28µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 650pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 68W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD400N06NGBTMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD400N06NGBTMA1-FT |
SPD04N80C3ATMA1
Infineon Technologies
IPD180N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
AUIRLR3410TRL
Infineon Technologies
IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
IPD031N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD031N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD031N03M G
Infineon Technologies
IPD035N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPD038N04NGBTMA1
Infineon Technologies
IPD03N03LA G
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel