casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD30N08S222ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPD30N08S222ATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPD30N08S222ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD30N08S222ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 136W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD30N08S222ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD30N08S222ATMA1-FT |
IPD60R3K3C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R600E6
Infineon Technologies
IPD65R250E6XTMA1
Infineon Technologies
IPD78CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPD90P03P4L04ATMA1
Infineon Technologies
SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD04N80C3ATMA1
Infineon Technologies
IPD180N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
AUIRLR3410TRL
Infineon Technologies
IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel