casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD22N08S2L50ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPD22N08S2L50ATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPD22N08S2L50ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD22N08S2L50ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 31µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 630pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 75W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD22N08S2L50ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD22N08S2L50ATMA1-FT |
IPD35N12S3L24ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
IPD70N03S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
IPD90N03S4L02ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies
IPD90R1K2C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD04P10PLGBTMA1
Infineon Technologies
SPD08P06PGBTMA1
Infineon Technologies
IRF40R207
Infineon Technologies
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
XA3S400-4FGG456I
Xilinx Inc.
A1440A-1VQG100C
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
EP4CE55F23C9LN
Intel
EP3C80F780I7N
Intel
EP20K200RC240-1
Intel
EP2S90F1020C3
Intel