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Infineon Technologies IPC302N25N3X1SA1

Name: IPC302N25N3X1SA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC302N25N3X1SA1
Price: 3.003576 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (765 reviews)

Número de pieza de MFG: IPC302N25N3X1SA1

Cantidad disponible: 14690 Piezas

Precio de referencia: USD 3.003576

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 250V 1A SAWN ON FOIL

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPC302N25N3X1SA1.pdf

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IPC302N25N3X1SA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPC302N25N3X1SA1
Número de parte futuro	FT-IPC302N25N3X1SA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPC302N25N3X1SA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1A (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	-
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	Sawn on foil
Paquete / Caja	Die
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC302N25N3X1SA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPC302N25N3X1SA1-FT

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