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Infineon Technologies IPB80N06S4L07ATMA2

Número de pieza de MFG
IPB80N06S4L07ATMA2
Cantidad disponible
53710 Piezas
Precio de referencia
USD 0.54516
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante IPB80N06S4L07ATMA2
Número de parte futuro FT-IPB80N06S4L07ATMA2
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB80N06S4L07ATMA2 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 40µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5680pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB80N06S4L07ATMA2 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPB80N06S4L07ATMA2-FT

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