casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB65R660CFDATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB65R660CFDATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPB65R660CFDATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPB65R660CFDATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 615pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 62.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R660CFDATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB65R660CFDATMA1-FT |
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IPB12CNE8N G
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EP20K100ETC144-1N
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LFXP3C-3T100I
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XC2S100-5PQ208I
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A3PE600-PQG208
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10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
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LFXP15C-3FN256I
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LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation