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Infineon Technologies IPB65R660CFDAATMA1

Número de pieza de MFG
IPB65R660CFDAATMA1
Cantidad disponible
17230 Piezas
Precio de referencia
USD 0.906088
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ MOSFET N-CH TO263-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante IPB65R660CFDAATMA1
Número de parte futuro FT-IPB65R660CFDAATMA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
IPB65R660CFDAATMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 543pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB65R660CFDAATMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPB65R660CFDAATMA1-FT

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