casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB65R045C7ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB65R045C7ATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPB65R045C7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPB65R045C7ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 46A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 24.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.25mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4340pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 227W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R045C7ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB65R045C7ATMA1-FT |
IPB100N08S207ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N08S2L07ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N10S305ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N12S305ATMA1
Infineon Technologies
IPB107N20N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB107N20NAATMA1
Infineon Technologies
IPB110N06L G
Infineon Technologies
IPB114N03L G
Infineon Technologies
IPB117N20NFDATMA1
Infineon Technologies
IPB11N03LA
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel