casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB60R099CPATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB60R099CPATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPB60R099CPATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPB60R099CPATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 31A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2800pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 255W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R099CPATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB60R099CPATMA1-FT |
IPB06N03LB
Infineon Technologies
IPB06N03LB G
Infineon Technologies
IPB070N06L G
Infineon Technologies
IPB072N15N3GE8187ATMA1
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IPB073N15N5ATMA1
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IPB083N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB083N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB085N06L G
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel