casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB60R099CPATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB60R099CPATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPB60R099CPATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPB60R099CPATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 31A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2800pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 255W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R099CPATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB60R099CPATMA1-FT |
IPB06N03LB
Infineon Technologies
IPB06N03LB G
Infineon Technologies
IPB070N06L G
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IPB072N15N3GE8187ATMA1
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IPB083N10N3GATMA1
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IPB083N15N5LFATMA1
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IPB085N06L G
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel