casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB180N04S4H0ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB180N04S4H0ATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPB180N04S4H0ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB180N04S4H0ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 17940pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-7-3 |
Paquete / Caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB180N04S4H0ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB180N04S4H0ATMA1-FT |
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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EP4SGX70HF35I3N
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