casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB120N06S4H1ATMA2
Número de pieza del fabricante | IPB120N06S4H1ATMA2 |
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Número de parte futuro | FT-IPB120N06S4H1ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB120N06S4H1ATMA2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 21900pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB120N06S4H1ATMA2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB120N06S4H1ATMA2-FT |
IPB015N04LGATMA1
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IPB020N10N5LFATMA1
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10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel