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Infineon Technologies IPB120N06S4H1ATMA1

Name: IPB120N06S4H1ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB120N06S4H1ATMA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (235 reviews)

Número de pieza de MFG: IPB120N06S4H1ATMA1

Cantidad disponible: 80610 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPB120N06S4H1ATMA1.pdf

IPB120N06S4H1ATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPB120N06S4H1ATMA1
Número de parte futuro	FT-IPB120N06S4H1ATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPB120N06S4H1ATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	21900pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB120N06S4H1ATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPB120N06S4H1ATMA1-FT

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