casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB108N15N3GATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB108N15N3GATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPB108N15N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB108N15N3GATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 83A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8 mOhm @ 83A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 160µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3230pF @ 75V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 214W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB108N15N3GATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB108N15N3GATMA1-FT |
IRLS3034TRL7PP
Infineon Technologies
IRFS3107TRL7PP
Infineon Technologies
IRFS3004TRL7PP
Infineon Technologies
BUK6C2R1-55C,118
Nexperia USA Inc.
BUK6C3R3-75C,118
Nexperia USA Inc.
IRF2804STRL7PP
Infineon Technologies
IRF3805STRL-7PP
Infineon Technologies
IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
AUIRFS8409-7P
Infineon Technologies
IRF3805S-7PPBF
Infineon Technologies