casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB06N03LA G
Número de pieza del fabricante | IPB06N03LA G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPB06N03LA G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB06N03LA G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2653pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 83W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB06N03LA G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB06N03LA G-FT |
AUIRFS3307Z
Infineon Technologies
AUIRFS3607
Infineon Technologies
AUIRFS3607TRL
Infineon Technologies
AUIRFS3806
Infineon Technologies
AUIRFS3806TRL
Infineon Technologies
AUIRFS4010
Infineon Technologies
AUIRFS4115
Infineon Technologies
AUIRFS4115TRL
Infineon Technologies
AUIRFS4127TRL
Infineon Technologies
AUIRFS4310
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel