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Infineon Technologies IPB065N06L G

Número de pieza de MFG
IPB065N06L G
Cantidad disponible
12390 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
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Número de parte futuro FT-IPB065N06L G
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPB065N06L G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 180µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 157nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5100pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB065N06L G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPB065N06L G-FT

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