casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB054N08N3GATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB054N08N3GATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPB054N08N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB054N08N3GATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4750pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB054N08N3GATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB054N08N3GATMA1-FT |
IXTA152N085T7
IXYS
IXTA160N075T7
IXYS
IXTA160N10T7
IXYS
IXTA180N085T7
IXYS
IXTA180N10T7
IXYS
IXTA182N055T7
IXYS
IXTA200N075T7
IXYS
IXTA200N085T7
IXYS
IXTA220N055T7
IXYS
IXTA220N075T7
IXYS
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel