casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB020N08N5ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB020N08N5ATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPB020N08N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB020N08N5ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 208µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 166nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12100pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB020N08N5ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB020N08N5ATMA1-FT |
64-2096PBF
Infineon Technologies
AUIRF2804S-7P
Infineon Technologies
AUIRF2804STRL7P
Infineon Technologies
AUIRF2907ZS7PTL
Infineon Technologies
AUIRF3805S-7P
Infineon Technologies
AUIRF3805S-7TRL
Infineon Technologies
AUXAKF1405ZS-7P
Infineon Technologies
BUK7C06-40AITE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7C08-55AITE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7C10-75AITE,118
Nexperia USA Inc.
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel