casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA80R310CEXKSA1
Número de pieza del fabricante | IPA80R310CEXKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPA80R310CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPA80R310CEXKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2320pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220 Full Pack |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA80R310CEXKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPA80R310CEXKSA1-FT |
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