casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA65R280C6XKSA1
Número de pieza del fabricante | IPA65R280C6XKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPA65R280C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA65R280C6XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 950pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 32W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 Full Pack |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA65R280C6XKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPA65R280C6XKSA1-FT |
R6024KNX
Rohm Semiconductor
TK56A12N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40A06N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IXKP20N60C5M
IXYS
IXKP24N60C5M
IXYS
IRFI9Z24GPBF
Vishay Siliconix
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix
IRFI830G
Vishay Siliconix
IRLIZ24G
Vishay Siliconix
IRLIZ44G
Vishay Siliconix
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel