casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IMS5SWDBH3R3J65
Número de pieza del fabricante | IMS5SWDBH3R3J65 |
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Número de parte futuro | FT-IMS5SWDBH3R3J65 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-5SWD-65 |
IMS5SWDBH3R3J65 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Inductancia | 3.3µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 800mA |
Corriente - Saturación | 800mA |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 350 mOhm Max |
Q @ Freq | 44 @ 7.9MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 85MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.9MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS5SWDBH3R3J65 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMS5SWDBH3R3J65-FT |
IM10RFCLEB103J12
Vishay Dale
IM10RFCLEB182J12
Vishay Dale
IM10RFCLEB1R8K12
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IM10RFCLEB2R2K12
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IM10RFCLEB3R3J12
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IM10RFCLEB4R7K12
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IM10RFCLEZ103J12
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IM10RFCLEZ4R7K12
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IM10RFCLRA101K12
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel