casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IMS05EB1R8J
Número de pieza del fabricante | IMS05EB1R8J |
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Número de parte futuro | FT-IMS05EB1R8J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-5 |
IMS05EB1R8J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 1.8µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 775mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 140 mOhm Max |
Q @ Freq | 44 @ 7.9MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 105MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.9MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS05EB1R8J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMS05EB1R8J-FT |
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel