casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IMS02WWDBH4R7K40
Número de pieza del fabricante | IMS02WWDBH4R7K40 |
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Número de parte futuro | FT-IMS02WWDBH4R7K40 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-2WWD-40 |
IMS02WWDBH4R7K40 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 650mA |
Corriente - Saturación | 650mA |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 787 mOhm Max |
Q @ Freq | 42 @ 7.9MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 66MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.9MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.133" Dia x 0.335" L (3.38mm x 8.51mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02WWDBH4R7K40 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMS02WWDBH4R7K40-FT |
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Microsemi Corporation
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Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel