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Número de pieza del fabricante | IMS02EB1R8K |
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Número de parte futuro | FT-IMS02EB1R8K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-2 |
IMS02EB1R8K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Inductancia | 1.8µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 217mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 950 mOhm Max |
Q @ Freq | 43 @ 7.9MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 105MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.9MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02EB1R8K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMS02EB1R8K-FT |
IM10BH472J
Vishay Dale
IM10BH472K
Vishay Dale
IM10BH502J
Vishay Dale
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IM10EB472J
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IM10EB472K
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation