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Número de pieza del fabricante | IMS02BH2R2J |
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Número de parte futuro | FT-IMS02BH2R2J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMS-2 |
IMS02BH2R2J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 202mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 95MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.9MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02BH2R2J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMS02BH2R2J-FT |
IM08BH242J
Vishay Dale
IM08BH272J
Vishay Dale
IM08BH302K
Vishay Dale
IM08BH332J
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IM08BH362J
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IM08EB222K
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IM08EB272K
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IM08EB332K
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IM08ET302K
Vishay Dale
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel