casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / IMN11T110
Número de pieza del fabricante | IMN11T110 |
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Número de parte futuro | FT-IMN11T110 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMN11T110 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Configuración de diodo | 2 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 100mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 70V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-74, SOT-457 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMN11T110 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMN11T110-FT |
BAS 70-06 B5003
Infineon Technologies
BAS40-06LT1
ON Semiconductor
BAT 54-04 B5003
Infineon Technologies
BAT 54-05 B5003
Infineon Technologies
BAT 54-06 B5003
Infineon Technologies
BAT 64-04 B5003
Infineon Technologies
BAT 64-05 B5003
Infineon Technologies
BAT 64-06 B5003
Infineon Technologies
BAT1805E6327NTSA1
Infineon Technologies
BAT54A
ON Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel