casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / IMH23T110
Número de pieza del fabricante | IMH23T110 |
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Número de parte futuro | FT-IMH23T110 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMH23T110 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 20V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 820 @ 50mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | - |
Frecuencia - Transición | 150MHz |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-74, SOT-457 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMH23T110 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMH23T110-FT |
XN0411600L
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XN0413000L
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XN0421000L
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XC2V250-5FGG256I
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XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
10AX016E4F29E3SG
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EP1K30QC208-1N
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